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AT91SAM9G35-CU
EP4CE115F23I7N
系列 | - |
包裝 | 帶卷（TR） |
零件狀態(tài) | 有效 |
FET 類型 | MOSFET P 通道，金屬氧化物 |
FET 功能 | 邏輯電平柵極，4V 驅(qū)動(dòng) |
漏源極電壓（Vdss） | 100V |
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） | 170mA（Ta） |
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值） | 18 歐姆 @ 80mA，10V |
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） | 2.6V @ 100μA |
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg） | 0.9nC @ 10V |
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss） | 14pF @ 20V |
功率 - 最大值 | 600mW |
工作溫度 | 150°C（TJ） |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
供應(yīng)商器件封裝 | 3-CPH |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 3,000 |
其它名稱 | Pan-Way? ERU20 |
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